반도체 구조변화

'무어의 법칙'의 재구성: 반도체 구조/공정변화(p114)

2013.05.14

반도체 구조 변화로, Photo대신 CVD/Etch/CMP 공정 중요성 증대

투자포인트: 반도체 구조적 변화 → QPT + 3D NAND + FinFET

1. QPT (Quadruple Patterning):

EUV 공정 지연으로 DPT를 반복하는 QPT공정 사용 불가피.

Photo보다는 CVD/Etch/CMP 공정 중요성 증대 예상

2. 2D NAND → 3D NAND:

NAND는 2차원구조에서 3차원구조인 3DNAND (V-NAND)로 전환 예정.

3D NAND는 NAND Gate를 수직으로 쌓는 방식. 삼성전자 13년말 양산 전망.

Etch 공정 중요성 증대. 솔브레인 고선택비(HSN) 인산 각광 예상

3. FinFET 구조 확대:

로직 제품은 Gate가 삼면으로 접하는 FinFET 구조로 변환 중.

FinFET은 3차원 구조로 복잡해지는 반면 전력 소모가 낮아져 저전력 설계 가능.

삼성전자 14nm FinFET 개발 본격화 예상

반도체 구조변화 1: 3D NAND(V-NAND)

2013.05.20

3D NAND 구조변화로 PE-CVD장비 및 HSN 식각액 중요성 증대

반도체 구조변화 2: FinFET

2013.05.21

FinFET기술로 CVD 및 Etch 공정 증가 전망

반도체 구조변화 3: QPT(Quadruple Patterning)

2013.05.22

QPT 기술로 CVD 및 Etch 공정 스텝 증가 전망

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