반도체 공정변화

 

 

 

 

 

 

 

반도체 공정변화: Photo → CVD/Etch/CMP 공정

 

2013.05.27

 

1. QPT, 3D NAND 및 FinFET구조 변화로 반도체 공정은 3차원으로 변화 중

 

2. CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정 스텝 증가

 

3. Etch 공정 난이도 증가. 고선택비 인산 수요 증대 예상

 

4. CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정 중요성 확대

 

 

 

공정변화 1: Photo 공정의 지연

 

2013.06.03

 

1. 반도체는 Photo 공정 지연으로 무어의 법칙 한계 봉착

2. EUV는 기술적으로 상당부분 해결되고 있으나 양산성이 문제

3. 미래에도 Photo공정은 현재기술(Immersion)과 EUV가 공존할 전망

4, DPT 공정 지속 사용 전망. DPT이후 QPT 사용 예상

 

관련주: 원익IPS, 국제엘렉트릭, 원익머트리얼즈

 

 

공정변화 2: CVD(Chemical Vapor Deposition)

 

2013.06.04

 

반도체 3차원 구조 변화로 CVD 공정 증가

 

1. CVD는 화학증착 방식으로 막질에 따라 PE CVD, ALD, LP CVD로 구분

2. 반도체 3차원 구조 변화로 CVD 공정 증가

3. 3D NAND에서 CVD 공정 4~6배 증가 예상

 

관련주: 원익IPS, 국제엘렉트릭, 유진테크

 

 

공정변화 3: Etch

 

2013.06.07

 

반도체 3차원 구조 변화로 CVD 공정 증가

 

3D NAND + Gate Last + 고선택비 인산

1. Etch 공정은 Wet 방식과 Dry 방식으로 나뉨

2. 3D NAND구조 변화로 Etch공정 중요성 증대

3. 고선택비 인산(HSN)은 Gate Last 방식에 필수적인 에칭 소재

 

관련주 : 솔브레인

 

 

공정변화 4: CMP(Chemical Mechanical Polishing)

 

2013.06.11

 

1. CMP (Chemical Mechanical Polishing)는 배선 단차를 낮추고 평탄화하는 공정

2. 3D NAND 등 3차원 반도체 구조변화로 CMP 중요성 확대

3. CMP 공정에서는 Slurry가 중요. Ceria Slurry (CeO2)가 각광

 

관련주 : 솔브레인, 케이씨텍

 

 

 반도체 공정변화.pdf